BP87526H 是一款高性能、高集成度、低待機(jī)功耗、高頻準(zhǔn)諧振反激驅(qū)動(dòng)芯片。內(nèi)置 800V高壓 MOSFET，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、高壓輔助供電電路，適用于高效率、小體積、高可靠性、寬輸出電壓范圍的 35~55 W 反激變換器應(yīng)用。 BP87526H 支持自適應(yīng)COT控制方式，接收和解調(diào)配對(duì)的副邊控制器發(fā)送到原邊的脈沖信號(hào)，同時(shí)檢測(cè)原邊漏極電壓谷底控制原邊功率管的開(kāi)通，實(shí)現(xiàn)較高的效率。采用AdaptiveCOT控制方式和原副邊磁耦通訊，大幅度降低了控制電路的靜態(tài)工作電流，使得系統(tǒng)待機(jī)功耗小于30 mW，可以滿足待機(jī)功耗要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。輔助供電引腳耐壓可達(dá)到150V，能滿足寬輸出電壓范圍。

內(nèi)置 800V高壓 MOSFET

集成高壓?jiǎn)?dòng)

150V輔助供電耐壓，滿足寬輸出電壓范圍

自適應(yīng) COT控制，快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

磁耦通訊實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗，<30 mW

QR 谷底開(kāi)通，優(yōu)化效率和 EMI特性

最高可達(dá) 140 kHz 開(kāi)關(guān)頻率

• USB PD、QC充電器
• 可編程 AC/DC 充電器

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