內置650V 高壓 MOSFET
集成高壓啟動
150 V 輔助供電耐壓，滿足寬輸出電壓范圍
自適應 COT 控制，快速的動態響應
磁耦通信實現超低待機功耗，<30 mW
QR 谷底開通，優化效率和 EMI 特性
最高可達 140 kHz 開關頻率
滿足 LPS (Limit Power Source) 安規要求
完備的保護功能
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